如何区分场效应管与IGBT管?

作者：黑金刚电容    发布时间：2023-09-25 21:11:27  访问量：979  来源：超级电容组

如何区分场效应管与IGBT管?

两者是不同的管型，一般此类功率器件多数是并联来提高工作电流，而串联只能升高工作电压，而要提高工作电压可以选择耐压较大的管子，不必用管子来串联提高，没有必要!至于是否能加管子那要看电路的功率余量(电源、输出、驱动)一般是不行的。单管IGBT属于绝缘门极晶体管，第四代逆变技术。

相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。多个MOS管串联，其中一个炸管其他全炸。效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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